Datasheet > NCEP026N10

NCEP026N10

更新时间： 2024-11-19 15:19:23

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	683K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCEP026N10 数据手册

NCEP026N10, NCEP026N10D

NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description

The series of devices uses Super Trench II technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high frequency

switching performance. Both conduction and switching power

losses are minimized due to an extremely low combination of

R_DS(ON)and Q_g. This device is ideal for high-frequency switching

and synchronous rectification.

General Features

● V_DS=100V,I_D=200A

R_DS(ON)=2.4mΩ , typical (TO-220)@ V_GS=10V

R_DS(ON)=2.2mΩ , typical (TO-263)@ V_GS=10V

● Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

● Very low on-resistance R_DS(on)

● 175 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

Application

● DC/DC Converter

100% UIS TESTED!

●Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

100% ΔVds TESTED!

TO-220

TO-263

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

NCEP026N10

NCEP026N10D

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCEP026N10

NCEP026N10D

TO-220

TO-263

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

VGS

200

142

800

300

I_D

I_D(100℃)

I_DM

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

Maximum Power Dissipation

P_D

Derating factor

W/℃

℃

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_AS

2300

-55 To 175

T_J,T_STG

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V1.0

http://www.ncepower.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NCEP026N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCEP026N10D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N10F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N10LL	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N10M	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N10T	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N85	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP026N85D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP028N12LL	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP028N60AGU	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP028N85	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超

与NCEP026N10相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCEP026N10

NCEP026N10 数据手册

与NCEP026N10相关器件

与NCEP026N10相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCEP026N10

NCEP026N10 数据手册

与NCEP026N10相关器件

与NCEP026N10相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？