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NCEP025N60AG

更新时间： 2024-11-19 15:18:35
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 748K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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http://www.ncepower.com  
NCEP025N60AG  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP025N60AG uses Super Trench II technology that is ● VDS =60V,ID =165A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON)=2.0mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=2.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P025N60AG  
NCEP025N60AG  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
±20  
V
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
165  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
115  
A
660  
A
Maximum Power Dissipation  
200  
W
PD  
Derating factor  
1.16  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
540  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
0.625  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP025N60D NCEPOWER

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