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NCEP02525G

更新时间： 2024-11-19 17:01:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 926K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP02525G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency ● VDS =250V,ID =25A  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON)=72mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
and synchronous rectification.  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
●
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P02525G  
NCEP02525G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
250  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VGS  
±20  
ID  
ID (100℃)  
IDM  
25  
17.5  
A
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
100  
A
Maximum Power Dissipation  
PD  
140  
W
Derating factor  
1.12  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
320  
TJ,TSTG  
-55 To 150  
Thermal Characteristic  
Thermal Résistance, Junction-to-Case  
RθJC  
0.89  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP02525K NCEPOWER

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