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NCEP02515F

更新时间: 2024-11-19 15:18:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
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7页 744K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

NCEP02515F 数据手册

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP02515F  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP02515F uses Super Trench technology that is  
General Features  
● VDS =250V,ID =15A  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
RDS(ON)=220mΩ (typical) @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● LED backlighting  
100% UIS TESTED!  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% ΔVds TESTED!  
TO-220F  
Schematic Diagram  
Top View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP02515F  
NCEP02515F  
TO-220F  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
250  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VGS  
±20  
ID  
ID (100)  
IDM  
15  
10.5  
60  
A
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
A
A
Maximum Power Dissipation  
PD  
30  
W
Derating factor  
0.2  
150  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
TJ,TSTG  
-55 To 175  
Thermal Characteristic  
Thermal Résistance, Junction-to-Case  
RθJC  
5
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
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