5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NCEP023NH30GU
NCEP023NH30GU PDF预览

NCEP023NH30GU

更新时间： 2024-11-19 15:19:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅
页数 文件大小 规格书
6页 713K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

阅读下载

中文翻译

获取价格

NCEP023NH30GU 数据手册

 浏览型号NCEP023NH30GU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCEP023NH30GU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCEP023NH30GU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCEP023NH30GU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCEP023NH30GU的Datasheet PDF文件第6页 
http://www.ncepower.com  
NCEP023NH30GU  
NCE N-Channel Super Trench III Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP023NH30GU uses Super Trench III technology  
that is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
●VDS =30V,ID =114A  
RDS(ON)=2.0mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=3.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
●Very low on-resistance RDS(on)  
●150°C operating temperature  
Application  
● Pb-free lead plating  
●DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
PDFN 5X6-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P023NH30GU  
NCEP023NH30GU  
PDFN5X6-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
30  
±20  
V
V
VGS  
114  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
72  
A
456  
A
Maximum Power Dissipation  
50  
W
PD  
Derating factor  
0.4  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
185  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
2.5  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

中文翻译

下载PDF

与NCEP023NH30GU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP02503S NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02505S NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02515F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02515K NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02525F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02525G NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02525K NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02580 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02580D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP02580F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以

与NCEP023NH30GU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证