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NCEP018N60GU

更新时间： 2024-11-08 17:02:11
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 1124K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP018N60GU  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP018N60GU uses Super Trench II technology that is ● VDS =60V,ID =195A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON)=1.5 mΩ (typical) @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● 150 °C operating temperature  
and synchronous rectification.  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
DFN 5X6-8L  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P018N60GU  
NCEP018N60GU  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
60  
±20  
V
V
VGS  
195  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
135  
A
780  
A
Maximum Power Dissipation  
220  
W
PD  
Derating factor  
1.76  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
871  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 4)  
RθJC  
RθJA  
0.57  
50  
℃/W  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP018N85LL NCEPOWER

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