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NCEP0160G

更新时间： 2024-11-19 17:01:15
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 333K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP0160G 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP0160G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
● VDS =100V,ID =60A  
The NCEP0160G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
RDS(ON)<8.5mΩ @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% ∆Vds TESTED!  
rectification  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P0160G  
NCEP0160G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
±20  
VDS  
V
VGS  
Drain Current-Continuous(Note 1) (Package Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
60  
A
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
42.5  
240  
A
Maximum Power Dissipation  
105  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.84  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
250  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2)  
RθJC  
RθJA  
1.2  
50  
℃/W  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP016N10LL NCEPOWER

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