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NCEB301G

更新时间： 2024-11-18 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
9页 474K
描述
????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品以高、低边的串联的方式集成至单个封装中。半桥产品可以简化系统复杂度，减少系统寄生参数，从而优化系统设计效率

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEB301G  
30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCEB301G is designed to provide a high efficiency  
synchronous buck power stage with optimal layout and  
board space utilization. It includes two specialized MOSFETs  
in a dual Power DFN5x6 package. The Q1 "High Side"  
MOSFET is desgined to minimze switching losses. The  
Q2"Low Side" MOSFET uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.  
General Features  
Schematic Diagram  
Q1 "High Side" MOSFET  
Q2 "Low Side" MOSFET  
● VDS =30V,ID =20A  
VDS =30V,ID =35A  
R
R
DS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <7mΩ @ VGS=10V  
pin assignment  
DS(ON)<14mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <12mΩ @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Top View  
Bottom View  
100% UIS TESTED!  
Application  
● Compact DC/DC converter applications  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEB301G  
NCEB301G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Q1  
30  
Q2  
30  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
±20  
±20  
V
VGS  
TC=25°C  
20  
35  
A
Drain Current-Continuous (Note 2)  
ID  
TC=100°C  
14.1  
80  
24.7  
120  
A
Drain Current -Pulsed (Note 1)  
Power Dissipation  
IDM  
PD  
TC=25°C  
20  
40  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
-55 To 150  
℃
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Typ  
6
Max  
6.3  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2) (Q1)  
Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2) (Q2)  
RθJC  
2.9  
3.1  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEB301Q NCEPOWER

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NCEB302Q NCEPOWER

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 		????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品
NCEE3600AHMAHWS VISHAY

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 		CAP,SILICON,360PF,2.5% -TOL,2.5% +TOL,15PPM TC
NCEE3600AHMAKWS VISHAY

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