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NCEAP60ND60G

更新时间： 2024-12-01 15:17:39
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 644K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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NCEAP60ND60G 数据手册

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NCEAP60ND60G  
http://www.ncepower.com  
NCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEAP60ND60G uses Super Trench technology that is  
● VDS =60V,ID =70A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
RDS(ON)=7.8mΩ (typical) @ VGS=10V  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● Automotive application  
● 100% UIS tested  
● 100% ΔVds tested  
● DC/DC Converter  
● AEC-Q101 qualified  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Top View  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
AP60ND60G  
NCEAP60ND60G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Continuous  
Pulsed Drain Current  
60  
±20  
V
V
VGS  
70  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
50  
A
220  
A
Maximum Power Dissipation  
84  
W
PD  
Derating factor  
0.56  
320  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 2)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
1.78  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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与NCEAP60ND60G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEAP60P90AK NCEPOWER

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