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NCEAP40T14G

更新时间： 2024-12-01 15:19:39
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 769K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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NCEAP40T14G 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEAP40T14G  
NCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEAP40T14G uses Super Trench  
technology that is  
● VDS =40V,ID =210A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
RDS(ON)=1.6mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=2.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● Automotive application  
● 100% UIS tested  
● DC/DC Converter  
● 100% ΔVds tested  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
● AEC-Q101 qualified  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
AP40T14G  
NCEAP40T14G  
DFN5X6-8L  
Ø330mm  
12 mm  
5000 units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
210  
148  
840  
160  
1.06  
980  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.94  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEAP40T15AGU NCEPOWER

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