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NCEAP40PT15D

更新时间： 2024-12-01 17:01:11
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 697K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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NCEAP40PT15D 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEAP40PT15D  
NCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEAP40PT15D uses Super Trench technology that is ● VDS =-40V,ID =-195A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=-10V  
RDS(ON)=3.8mΩ (typical) @ VGS=-4.5V  
losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Application  
● Automotive application  
● DC/DC Converter  
● 100% ΔVds tested  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
● AEC-Q101 qualified  
TO-263  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
AP40PT15D  
NCEAP40PT15D  
TO-263-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
-40  
±20  
V
V
VGS  
-195  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
-137  
A
-780  
A
Maximum Power Dissipation  
250  
W
PD  
Derating factor  
1.67  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
1345  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
0.6  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.1  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEAP40PT15G NCEPOWER

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