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NCEAP40P80K PDF预览

NCEAP40P80K

更新时间： 2024-12-01 15:18:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 907K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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http://www.ncepower.com  
NCEAP40P80K  
NCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEAP40P80K uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and  
synchronous rectification.  
Schematic Diagram  
General Features  
● VDS =-40V,ID =-95A  
RDS(ON)=7.2mΩ (typical) @ VGS=-10V  
RDS(ON)=11mΩ (typical) @ VGS=-4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Marking and pin assignment  
● 100% ΔVds tested  
● AEC-Q101 qualified  
Application  
● Automotive application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
TO-252 -2L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
AP40P80K  
NCEAP40P80K  
TO-252-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-40  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
±20  
V
VGS  
ID  
-95  
-67  
-360  
150  
1
A
A
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
500  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
1.0  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEAP40PT12K NCEPOWER

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