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NCEAP40ND80G

更新时间： 2024-12-01 15:19:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 676K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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NCEAP40ND80G 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEAP40ND80G  
NCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEAP40ND80G uses Super Trench technology that is ● VDS =40V,ID =90A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
RDS(ON)=4.3mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=5.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Application  
● Automotive application  
● DC/DC Converter  
● 100% ΔVds tested  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ● AEC-Q101 qualified  
PinAssignment  
Schematic Diagram  
DFN 5X6  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
AP40ND80G  
NCEAP40ND80G  
DFN5x6-8L  
Ø330mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
90  
65  
A
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
360  
A
Maximum Power Dissipation  
83  
W
PD  
Derating factor  
0.56  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
500  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.8  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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