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NCEA6050KA

更新时间： 2024-11-26 15:19:43

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	1037K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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NCEA6050KA 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEA6050KA

NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCEA6050KA uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=60V,I_D=50A

Schematic diagram

R_DS(ON)<13.8mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)<19.2mΩ @ V_GS=4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high E_AS

● Excellent package for good heat dissipation

● Special process technology for high ESD capability

● 100% UIS tested

● 100% ΔVds tested

Marking and pin assignment

● AEC-Q101 qualified

Application

● Automotive application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

TO-252-2L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

A6050KA

NCEA6050KA

TO-252-2L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current-Continuous

35.4

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current ^{(Note 1)}

Maximum Power Dissipation

Derating factor

I_D(100℃)

I_DM

200

P_D

0.57

W/℃

℃

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_AS

200

-55 To 175

T_J,T_STG

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V2.0

12 3 4 5 6 7

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