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NCEA02P20K PDF预览

NCEA02P20K

更新时间： 2024-11-26 17:01:31
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 742K
描述
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOS

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http://www.ncepower.com  
NCEA02P20K  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCEA02P20K uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can  
be used in a wide variety of applications.  
General Features  
Schematic diagram  
● VDS =-200V,ID =-20A  
RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-10V (Typ:183mΩ)  
RDS(ON) <240mΩ @ VGS=-4.5V (Typ:188mΩ)  
● Super high dense cell design  
● Advanced trench process technology  
● Reliable and rugged  
● High density cell design for ultra low On-Resistance  
● Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
● 100% UIS tested  
● 100% ΔVds tested  
● AEC-Q101 qualified  
Application  
● Automotive application  
● Portable equipment and battery powered systems  
TO-252-2L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
A02P20K  
NCEA02P20K  
TO-252-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-200  
±20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VGS  
-20  
-14.1  
-80  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
A
Maximum Power Dissipation  
180  
W
PD  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Derating factor  
EAS  
282  
mJ  
W/℃  
℃
1.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 4)  
RθJC  
RθJA  
0.83  
50  
℃/W  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V1.0  
123456

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与NCEA02P20K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEA15P30K NCEPOWER

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