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NCE65T360D

更新时间: 2024-11-22 17:01:23
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新洁能 - NCEPOWER 开关栅极
页数 文件大小 规格书
10页 1699K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以良好的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。

NCE65T360D 数据手册

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NCE65T360D,NCE65T360,NCE65T360F  
N-Channel Super Junction Power MOSFET   
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)  
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the  
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC  
power conversion, and industrial power applications.  
VDS  
650  
290  
11.5  
V
mΩ  
A
RDS(ON)TYP  
ID  
Features  
New technology for high voltage device  
Low on-resistance and low conduction losses  
small package  
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
100% Avalanche Tested  
ROHS compliant  
Application  
Power factor correctionPFC)  
Schematic diagram  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power SupplyUPS)  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
TO-263  
Marking  
NCE65T360D  
NCE65T360  
NCE65T360F  
NCE65T360D  
NCE65T360  
NCE65T360F  
TO-220  
TO-220F  
TO-263  
TO-220  
TO-220F  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25)  
NCE65T360D  
NCE65T360  
Parameter  
Symbol  
NCE65T360F  
Unit  
650  
V
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V)  
VDS  
VGS  
±30  
Gate-Source Voltage (VDS=0V), AC(f>1HZ)  
Continuous Drain Current at TC =25°C  
Continuous Drain Current at TC =100°C  
11.5  
7
11.5*  
7*  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
A
(Note 1)  
46  
46*  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(TC=25)  
101  
0.81  
32.6  
0.26  
W
Derate above 25°C  
W/°C  
mJ  
A
(Note2)  
144  
6
EAS  
IAR  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current(Note 1)  
Repetitive Avalanche energy tAR limited by Tjmax  
(Note 1)  
0.5  
EAR  
mJ  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
v1.1  

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