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NCE65T1K2K

更新时间： 2024-11-22 15:19:47

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新洁能 - NCEPOWER		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	476K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

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NCE65T1K2K 数据手册

NCE65T1K2K,NCE65T1K2I

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent R^DS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_DS

650

950

mΩ

R_DS(ON)TYP.

I_D

Features

●New technology for high voltage device

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

● Power factor correction（PFC）

● Switched mode power supplies(SMPS)

● Uninterruptible Power Supply（UPS）

Schematic diagram

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE65T1K2I

NCE65T1K2K

TO-251

NCE65T1K2I

NCE65T1K2K

TO-252

TO-251

TO-252

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

V^DS

Value

Unit

650

±30

Drain-Source Voltage (V^GS=0V）

Gate-Source Voltage (V^DS=0V) ,AC (f>1 Hz)

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

V^GS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

2.5

(Note 1)

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

Derate above 25°C

0.328

W/°C

(Note2)

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

(Note 1)

0.7

Avalanche current

Repetitive Avalanche energy ，t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

0.1

E_AR

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

http://www.ncepower.com

V1.0

12 3 4 5 6 7 8

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