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NCE6045G

更新时间： 2024-11-19 15:18:47

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	389K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE6045G 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE6045G

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE6045G uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS= 60V,I_D=45A

R_DS(ON)< 13mΩ @ V_GS=10V (Typ:10mΩ)

Schematic diagram

R_DS(ON)< 17mΩ @ V_GS=4.5V (Typ:13mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

DFN5X6-8L top view

● Load switch

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE6045G

DFN5X6-8L

Ø330mm

12mm

5000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

±20

V^GS

I_D

I_D(100℃)

I_DM

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

140

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

E_AS

260

℃

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

2.08

℃/W

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

v2.0

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