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NCE6007S

更新时间： 2024-11-19 15:19:39

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	426K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE6007S

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE6007S uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=60V,I_D=7A

Schematic diagram

_DS(ON)< 30mΩ @ V_GS=10V （Typ：24mΩ）

_DS(ON)< 35mΩ @ V_GS=4.5V （Typ：27mΩ）

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

Marking and pin assignment

SOP-8 top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

2500 units

6007

NCE6007S

SOP-8

Ø330mm

12mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

V^GS

±20

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

Maximum Power Dissipation

2.1

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

v1.0

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