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NCE6003Y

更新时间： 2024-11-19 15:19:23

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	739K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE6003Y 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE6003Y

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE6003Y uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a

Battery protection or in other switching application.

Schematic Diagram

General Features

● V_DS=60V,I_D=3A

R_DS(ON)<105mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)< 125mΩ @ V_GS=4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

Marking and Pin Assignment

● Surface mount package

Application

●Battery switch

●DC/DC converter

SOT-23 -3L Top View

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

6003Y

NCE6003Y

SOT-23-3L

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.7

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

73.5

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=60V,V_GS=0V

μA

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V4.1

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