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NCE6003M

更新时间： 2024-11-19 17:01:55

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	252K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE6003M 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE6003M

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE6003M uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a

Battery protection or in other switching application.

General Feature

● V_DS=60V,I_D=3.0A

Schematic diagram

R_DS(ON)<100mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)< 120mΩ @ V_GS=4.5V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

●Battery switch

●DC/DC converter

SOT-89 -3L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

6003M

NCE6003M

SOT-89-3L

Ø180mm

12mm

1000units

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

±20

V^DS

Gate-Source Voltage

V^GS

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_D

I_DM

Maximum Power Dissipation

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

1.7

℃

P_D

E_AS

16.2

-55 To 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case ^{(Note 2)}

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJC

R_θJA

℃/W

73.5

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V4.0

12 3 4 5 6 7

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