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NCE50NF600I

更新时间： 2024-11-19 17:02:03
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 787K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减

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NCE50NF600I  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ  
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)  
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the  
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC  
power conversion, and industrial power applications.  
VDS min@Tjmax  
550  
520  
6.3  
V
mΩ  
A
RDS(ON)TYP.  
ID  
Qg  
9.5  
nC  
Features  
●New technology for high voltage device  
●Low on-resistance and low conduction losses  
●Small package  
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
●100% Avalanche Tested  
●ROHS compliant  
Application  
●
●
●
Power factor correction（PFC）  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power Supply（UPS）  
Intrinsic fast-recovery body diode  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE50NF600I  
NCE50NF600I  
TO-251-3L  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
500  
Unit  
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V）  
±30  
±20  
6.3  
V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,DC  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
VGS  
V
VGS  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
4.41  
18.9  
74  
A
(Note 1)  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)  
W
Derate above 25°C  
0.49  
2.5  
W/°C  
A
(Note 2)  
IAS  
Single pulse avalanche current  
15  
Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID  
Drain Source voltage slope，VDS ≤480 V  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
dv/dt  
dv/dt  
TJ,TSTG  
V/ns  
V/ns  
°C  
50  
-55...+175  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE50NF600K NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE50NF600R NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE50TD120BP NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE50TD120BT NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE50TD120VT NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE50TD120VTP NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE50TD120WT NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
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