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NCE50N540K

更新时间： 2024-11-18 15:19:39
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新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 740K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

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NCE50N540K  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ  
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)  
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the  
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC  
power conversion, and industrial power applications.  
VDS min@Tjmax  
550  
470  
7.5  
10  
V
mΩ  
A
RDS(ON)TYP.  
ID  
Qg  
nC  
Features  
●New technology for high voltage device  
●Low on-resistance and low conduction losses  
●Small package  
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
●100% Avalanche Tested  
●ROHS compliant  
Application  
●
●
●
Power factor correction（PFC）  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power Supply（UPS）  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE50N540K  
TO-252  
NCE50N540K  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)  
Parameter  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V）  
VDS  
VGS  
±30  
±20  
7.5  
V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,DC  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
V
VGS  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
5.25  
22.5  
74  
A
(Note 1)  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)  
W
Derate above 25°C  
0.49  
16  
W/°C  
mJ  
A
(Note 2)  
EAS  
IAS  
Single pulse avalanche energy  
(Note 2)  
2
Single pulse avalanche current  
(Note 1)  
0.9  
EAR  
mJ  
V/ns  
V/ns  
°C  
Repetitive Avalanche energy ，tAR limited by Tjmax  
15  
Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID  
Drain Source voltage slope，VDS ≤480 V  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
dv/dt  
dv/dt  
TJ,TSTG  
50  
-55...+175  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
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NCE50NF130D NCEPOWER

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