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NCE40P25G

更新时间： 2024-11-14 15:19:39

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	637K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE40P25G 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE40P25G

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE40P25G uses uses advanced trench technology to

General Features

provide excellent R_DS(ON), This device is suitable for use as a load ● V_DS=-40V,I_D=-25A

switch or power management.

R_DS(ON)=11.5mΩ (typical) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=18.5mΩ (typical) @ V_GS=4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

Application

● DC/DC Converter

●

Ideal for high-frequency switching and synchronous ● Very low on-resistance R_DS(on)

rectification

● Good stability and uniformity with high E_AS

● 150 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

DFN 5X6

Schematic Diagram

Top View

Bottom View

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE40P25G

DFN 5x6-8L

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-40

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

-25

VGS

I_D

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-100

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

3.6

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v2.0

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