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NCE40P20Q1

更新时间： 2024-09-26 17:01:11

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	719K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE40P20Q1 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE40P20Q1

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE40P20Q1 uses advanced trench technology to provide

General Features

● V_DS= -40V,I_D= -20A

excellent R_DS(ON), This device is suitable for use as a load switch

or power management.

R_DS(ON)<18mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<28mΩ @ V_GS=-4.5V

Application

● Power management

● Load switch

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

DFN 3.3X3.3

Top View

Bottom View

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE40P20Q1

DFN3.3X3.3-8L

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-40

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

-20

VGS

I_D

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-80

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

4.17

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v2.0

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