5秒后页面跳转
NCE40P15Q PDF预览

NCE40P15Q

更新时间: 2024-11-14 15:19:31
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
8页 742K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE40P15Q 数据手册

 浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCE40P15Q的Datasheet PDF文件第7页 
http://www.ncepower.com  
NCE40P15Q  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE40P15Q uses advanced trench technology to provide  
General Features  
VDS = -40V,ID = -15A  
excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch  
or power management.  
RDS(ON) <18mΩ @ VGS=-10V  
RDS(ON) <28mΩ @ VGS=-4.5V  
Application  
Power management  
Load switch  
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 3.3X3.3-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCE40P15Q  
NCE40P15Q  
DFN3.3X3.3-8L  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
-15  
VGS  
A
ID  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
-60  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
25  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
5.0  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v1.0  

与NCE40P15Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE40P20Q NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P20Q1 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P25G NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P30K NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P40D NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P40K NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40P70K NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE40T120VT NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40T120WD NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40T60BP NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje