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NCE30P25S

更新时间: 2024-04-09 18:59:45
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
8页 700K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE30P25S 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE30P25S  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load  
switch or power management.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS = -30V,ID = -25A  
RDS(ON) <9mΩ @ VGS=-10V  
RDS(ON) <14mΩ @ VGS=-4.5V  
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin assignment  
Application  
Power management  
Load switch  
SOP-8 top view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
4000 units  
NCE30P25S  
NCE30P25S  
SOP-8  
Ø330mm  
12mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
-25  
A
ID  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
-100  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
3.5  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
36  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
-30  
-
V
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v5.0  

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