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NCE30P25S

更新时间： 2024-11-19 17:01:07

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
8页	700K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P25S 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30P25S

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), This device is suitable for use as a load

switch or power management.

Schematic diagram

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -25A

R_DS(ON)<9mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<14mΩ @ V_GS=-4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin assignment

Application

● Power management

● Load switch

SOP-8 top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

4000 units

NCE30P25S

SOP-8

Ø330mm

12mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

VGS

-25

I_D

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-100

I_DM

Maximum Power Dissipation

3.5

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-30

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v5.0

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