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NCE30P10S

更新时间： 2024-11-19 15:18:11

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	277K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P10S 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30P10S

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30P10S uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -10A

R_DS(ON)< 34mΩ @ V_GS=-4.5V

Schematic diagram

R_DS(ON)< 21mΩ @ V_GS=-10V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin assignment

Application

● PWM applications

● Load switch

● Power management

SOP-8 top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

4000 units

NCE30P10S

SOP-8

Ø330mm

12mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V^DS

±20

V^GS

Drain Current-Continuous (T_C=25℃)

Drain Current-Continuous (T_C=100℃)

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-10

I_D

-7.1

-40

I_DM

P_D

Maximum Power Dissipation (T_C=25℃)

Maximum Power Dissipation (T_C=100℃)

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

1.3

E_AS

231

-55 To 150

℃

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

41.67

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v1.2

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