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NCE30H11BG

更新时间： 2025-07-31 17:01:15

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	632K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30H11BG 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30H11BG

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30H11BG uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It can

be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=30V,I_D=110A

R_DS(ON)=2.3mΩ (typical) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=3.8mΩ (typical) @ V_GS=4.5V

● Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

● Very low on-resistance R_DS(on)

Schematic Diagram

● 150 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

● 100% UIS tested

Application

● DC/DC Converter

● Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

Top View

Bottom View

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE30H11BG

DFN5X6-8L

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

VDS

VGS

±20

110

77.8

440

I_D

I_D(100℃)

I_DM

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_AS

350

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

1.83

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V4.0

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