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NCE30H10G

更新时间: 2024-11-22 17:01:07
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 331K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE30H10G 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE30H10G  
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE3065G uses advanced trench technology and design  
General Features  
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be  
used in a wide variety of applications.  
VDS =30V,ID =100A  
RDS(ON)=1.9m(typical) @ VGS=10V  
DS(ON)=2.9m(typical) @ VGS=4.5V  
High density cell design for ultra low Rdson  
R
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous Very low on-resistance RDS(on)  
rectification  
Good stability and uniformity with high EAS  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
100% UIS TESTED!  
100% Vds TESTED!  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCE30H10G  
NCE30H10G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
±20  
V
VGS  
100  
70.7  
A
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
ID (100)  
IDM  
300  
A
Maximum Power Dissipation  
Derating factor  
65  
W
PD  
0.43  
W/℃  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
2.3  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
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