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NCE15P25J

更新时间： 2024-09-19 15:19:11

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	532K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE15P25J 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE15P25J

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE15P25J uses advanced trench technology and design

to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It can be

used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=-150V,I_D=-25A

Schematic diagram

R_DS(ON)<135mΩ @ V_GS=-10V （Typ.=120mR）

R_DS(ON)<160mΩ @ V_GS=-10V （Typ.=131mR）

● Super high dense cell design

● Advanced trench process technology

● Reliable and rugged

● High density cell design for ultra low On-Resistance

Application

● Portable equipment and battery powered systems

Marking and pin assignment

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-220-3L top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

NCE15P25J

TO-220-3L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

-150

±20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^GS

-25

-17

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

-140

Maximum Power Dissipation

Derating factor

160

W/℃

℃

P_D

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v1.0

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