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NCE01P13I

更新时间： 2024-11-07 15:19:43

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	739K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE01P13I 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE01P13I

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE01P13I uses advanced trench technology and design

to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It can be used

in a wide variety of applications. It is ESD protested.

General Features

● V_DS=-100V,I_D=-13A

Schematic diagram

R_DS(ON)<200mΩ @ V_GS=-10V (Typ:170mΩ)

● Super high dense cell design

● Advanced trench process technology

● Reliable and rugged

● High density celldesign for ultra low on-resistance

Application

● Power switch

● DC/DC converters

Marking and pin assignment

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-251 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE01P13I

TO-251

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

-100

±20

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

-13

-9.2

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

-52

Maximum Power Dissipation

Derating factor

P_D

0.27

W/℃

℃

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_AS

-55 To 175

T_J,T_STG

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

v3.0

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