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NCE0110AS

更新时间： 2024-11-20 15:19:11

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	429K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE0110AS 数据手册

NCE0110AS

http://www.ncepower.com

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE0110AS uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS= 100V,I_D=10A

Schematic diagram

R_DS(ON)< 17mΩ @ V_GS=10V (Typ:14mΩ)

R_DS(ON)< 20mΩ @ V_GS=4.5V (Typ:15.2mΩ)

● Special process technology for high ESD capability

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

Marking and pin assignment

Application

● DC/DC Primary Side Switch

● Telecom/Server

● Synchronous Rectification

SOP-8 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

12mm

Quantity

4000 units

NCE0110AS

SOP-8

Ø330mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

V^GS

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

Maximum Power Dissipation

3.1

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v2.0

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