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NBSG86AMNG

更新时间： 2024-11-19 03:18:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发器逻辑集成电路栅
页数 文件大小 规格书
14页 144K
描述
2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select

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NBSG86AMNG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：QFN包装说明：HVQCCN, LCC16,.12SQ,20
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：6.12
Is Samacsys：N其他特性：NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -2.375V TO -3.465V
系列：86JESD-30 代码：S-XQCC-N16
长度：3 mm逻辑集成电路类型：LOGIC CIRCUIT
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC16,.12SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：RAIL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-2.5/+-3.3 V最大电源电流（ICC）：39 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：0.22 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：2.375 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mmBase Number Matches：1

NBSG86AMNG 数据手册

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NBSG86A  
2.5V/3.3VꢀSiGe Differential  
Smart Gate with Output  
Level Select  
The NBSG86A is a multi−function differential Logic Gate which  
can be configured as an AND/NAND, OR/NOR, XOR/XNOR, or 2:1  
MUX. This device is part of the GigaComm™ family of high  
performance Silicon Germanium products. The device is housed in a  
low profile 4x4 mm, 16−pin, flip−chip BGA or a 3x3 mm 16 pin QFN  
package.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM*  
Differential inputs incorporate internal 50 W termination resistors  
and accept NECL (Negative ECL), PECL (Positive ECL),  
LVCMOS/LVTTL, CML, or LVDS. The OLS* input is used to  
program the peak−to−peak output amplitude between 0 and 800 mV  
in five discrete steps.  
SG  
86A  
LYW  
FCBGA−16  
BA SUFFIX  
CASE 489  
The NBSG86A employs input default circuitry so that under open  
16  
input conditions (D , D , VTD , VTD VTSEL) the outputs of the  
x
x
x
x,  
1
device will remain stable.  
SG  
86A  
ALYWG  
G
1
Features  
QFN−16  
MN SUFFIX  
CASE 485G  
• Maximum Input Clock Frequency > 8 GHz Typical  
• Maximum Input Data Rate > 8 Gb/s Typical  
• 165 ps Typical Propagation Delay  
• 40 ps Typical Rise and Fall Times  
A
L
Y
W
G
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
• Selectable Swing PECL Output with Operating Range:  
V
CC  
= 2.375 V to 3.465 V with V = 0 V  
EE  
(Note: Microdot may be in either location)  
• Selectable Swing NECL Output with NECL Inputs with  
Operating Range: V = 0 V with V = −2.375 V to −3.465 V  
CC  
EE  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
• Selectable Output Level (0 V, 200 mV, 400 mV,  
600 mV, or 800 mV Peak−to−Peak Output)  
• 50 W Internal Input Termination Resistors  
• Pb−Free Packages are Available  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 12 of this data sheet.  
*Output Level Select  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
July, 2006 − Rev. 10  
NBSG86A/D  
1234567...14

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NBSG86AMNG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NBSG86AMNHTBG ONSEMI

完全替代

 暂无描述
NBSG86AMNR2G ONSEMI

完全替代

 2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select
NBSG86AMN ONSEMI

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 		2.5V/3.3VSiGe Differential Smart Gate with Output Level Select
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 		Amplifier. Other
NBT-168-T3 ETC

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