Datasheet > NB3N3010BDR2G

NB3N3010BDR2G

更新时间： 2024-11-27 01:12:59

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		驱动光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	157K
描述
3.3V, 12.288 MHz Audio Oversampling Clock Generator

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NB3N3010BDR2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.41	系列：	3N
输入调节：	STANDARD	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
逻辑集成电路类型：	LOW SKEW CLOCK DRIVER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	反相输出次数：
端子数量：	8	实输出次数：	2
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	Same Edge Skew-Max（tskwd）：	0.7 ns
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
最小 fmax：	12.3187 MHz	Base Number Matches：	1

NB3N3010BDR2G 数据手册

NB3N3010B

3.3V, 12.288 MHz Audio

Oversampling Clock

Generator for USB

Applications

http://onsemi.com

MARKING

Description

The NB3N3010B is a precision, low noise clock multiplier that

generates an output frequency of 12.288 MHz. This is accomplished

by using Frequency−Locked−Loop (FLL) techniques where a 4 kHz

reference input is multiplied by 3072, or an 8 kHz input by 1536. The

frequency multiplier is selected by the S0 pin.

The two LVCMOS output drivers are disabled to a logic Low with

the ENABLEn pin set HIGH. The NB3N3010B operates from a single

+3.3 V supply, and is available in the SOIC−8 pin package, and

optionally in a DFN8 package. The operating temperature range is

from 0°C to +85°C.

DIAGRAMS*

3010B

ALYW

SOIC−8

D SUFFIX

CASE 751

The NB3N3010B device provides the optimum combination of low

cost, flexibility, and high performance. This makes it ideal for

applications such as oversampling A−to−D and D−to−A converters

from a low reference frequency, such as a USB start−of−frame (SOF)

pulse.

DFN8

MN SUFFIX

CASE 506AA

Features

= Assembly Location

= Wafer Lot

= Year

• Accepts 8 kHz or 4 kHz Reference Input Derived from USB

Start−of−Frame

W = Work Week

M = Date Code

• Generates 12.288 MHz Frequency−Locked to the Reference

• Fully Integrated Frequency−Lock−Loop with Internal Loop Filter

• Low Skew Dual LVCMOS Outputs

• Very Low Phase Noise Preserves Codec Noise Floor

• Internal Voltage Regulator

• Supply Voltage Required: +3.3 V $5%

• Temperature Range: 0°C to +85°C

• These are Pb−Free Devices

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*For additional marking information, refer to

Application Note AND8002/D.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 7 of this data sheet.

VDD

CFILT

GND

CLK_A

+1.8 V

Linear

Regulator

REF

CLK_B

Output

Buffers

Tolerant

Frequency

Detector

Frequency

Generator

Loop Filter

Divider

ENABLEn

Figure 1. NB3N3010B Simplified Diagram

Publication Order Number:

May, 2011 − Rev. 0

NB3N3010B/D

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与NB3N3010BDR2G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NB3N3010BMNG	ONSEMI	获取价格	IC 3N SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 2 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO8, 2 X 2
NB3N3010BMNR4G	ONSEMI	获取价格	IC 3N SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 2 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO8, 2 X 2
NB3N3011	ONSEMI	获取价格	3.3 V 100 MHz / 106.25 MHz PureEdge Clock Generator with LVPECL Differential Output
NB3N3011DTG	ONSEMI	获取价格	3.3 V 100 MHz / 106.25 MHz PureEdge Clock Generator with LVPECL Differential Output
NB3N3011DTR2G	ONSEMI	获取价格	3.3 V 100 MHz / 106.25 MHz PureEdge Clock Generator with LVPECL Differential Output
NB3N3020	ONSEMI	获取价格	3.3 V, LV-PECL/LV-CMOS Clock Multiplier
NB3N3020_14	ONSEMI	获取价格	3.3 V, LVPECL/LVCMOS Clock Multiplier
NB3N3020DTG	ONSEMI	获取价格	3.3 V, LV-PECL/LV-CMOS Clock Multiplier
NB3N3020DTGEVB	ONSEMI	获取价格	3.3 V, LVPECL/LVCMOS Clock Multiplier
NB3N3020DTR2G	ONSEMI	获取价格	3.3 V, LV-PECL/LV-CMOS Clock Multiplier

与NB3N3010BDR2G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NB3N3010BDR2G

NB3N3010BDR2G 技术参数

NB3N3010BDR2G 数据手册

与NB3N3010BDR2G相关器件

与NB3N3010BDR2G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NB3N3010BDR2G

NB3N3010BDR2G 技术参数

NB3N3010BDR2G 数据手册

与NB3N3010BDR2G相关器件

与NB3N3010BDR2G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？