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NANDA9W3M1AZBC5E

更新时间： 2024-11-02 14:54:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	783K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA137, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-137

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NANDA9W3M1AZBC5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	FBGA, BGA137,10X15,32	针数：	137
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PBGA-B137	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：	FLASH+SDRAM	端子数量：	137
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA137,10X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Memory ICs	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NANDA9W3M1AZBC5E 数据手册

NANDxxxxMx

256/512-Mbit or 1-Gbit (x8/x16, 1.8/2.6 V, 528-byte page) NAND

flash and 256/512-Mbit (x16/x32, 1.8 V) LPSDRAM, MCP or PoP

Features

FBGA

■ Packages

– MCP (multichip package)

– PoP (package on package)

TFBGA107 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBB)

TFBGA149 10 × 13.5 × 1.2 mm (ZBA)

TFBGA137 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBC)

■ Device composition

– 1 die of 256 or 512 Mbits or 1 Gbit (x8/x16)

SLC small page NAND flash memory

– 1 die of 256 or 512 Mbits (x16 or x32)

SDR/DDR LPSDRAM

■ Supply voltages

– V

= 1.7 V to 1.95 V or 2.5 V to 3.6 V

DDF

DDD

TFBGA152 14 x 14 x 1.1 mm

= V

= 1.7 V to 1.95 V

DDQD

■ Electronic signature

■ Data integrity

– 100 000 program/erase cycles

– 10 years data retention

■ ECOPACK packages

■ Temperature range: –30 to 85 °C

Single or double data rate LPSDRAM

■ Interface: ×16 or ×32 bus width

■ Deep power-down mode

Flash memory

■ NAND interface

– x8/x16 bus width

– Multiplexed address/data

■ 1.8 V LVCMOS interface

■ Page size

■ Quad internal banks controlled by BA0, BA1

■ Automatic and controlled precharge

– x8 device: (512 + 16 spare) bytes

– x16 device: (256 + 8 spare) words

■ Auto refresh and self refresh

■ Block size

– 8 192 refresh cycles/64 ms

– x8 device: (16K + 512 spare) bytes

– x16 device: (8K + 256 spare) words

– Programmable partial array self refresh

– Auto temperature compensated self refresh

■ Page read/program

■ Wrap sequence: sequential/interleave

– Random access: 12 µs (3 V), 15 µs (1.8 V)

■ Burst termination by Burst Stop command and

– Sequential access: 30 ns (3 V), 50 ns

(1.8 V)

Precharge command

– Page program time: 200 µs (typ)

Table 1.

Device summary

NAND88R3M0

NAND98R3M0

NAND98W3M0

NAND99R3M0

NAND99R3M2

NAND98R3M1

NAND99W3M0

NAND99W3M1

NANDA9W3M1

NAND99R4M2

NAND98W3M1

NAND98R3M2

■ Copy back program mode

– Fast page copy without external buffering

■ Fast block erase

– Block erase time: 2 ms (typ)

– Status register

July 2008

Rev 11

1/32

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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