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NANDA9R4N4CZBA5E PDF预览

NANDA9R4N4CZBA5E

更新时间： 2024-11-02 18:32:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 1126K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149

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NANDA9R4N4CZBA5E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA149,12X16,32针数：149
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.83JESD-30 代码：R-PBGA-B149
长度：13.5 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SDRAM功能数量：1
端子数量：149字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：64MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA149,12X16,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
子类别：Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10 mm
Base Number Matches：1

NANDA9R4N4CZBA5E 数据手册

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NANDxxxxNx  
Large page NAND flash memory and  
low power SDRAM, 1.8/2.6 V MCP and PoP  
Features  
FBGA  
n
MCP (multichip package) and PoP (package  
on package)  
TFBGA107 10.5 × 13 × 1.2 mm  
TFBGA137 10.5 x 13 x 1.2 mm  
LFBGA137 10.5 x 13 x 1.4 mm  
TFBGA149 10 × 13.5 × 1.2 mm  
VFBGA160 15 x 15 x 1 mm  
– NAND flash memory  
– 1-, 2-, 4-, 2x2-Gbit large page size NAND  
flash memory  
– 256-, 512-, 2x512-, 128+256/512-Mbit or  
1-Gbit (x16/x32) SDR/DDR LPSDRAM  
FBGA  
n
n
Temperature range: -30 up to 85 °C  
Supply voltage  
– NAND flash: V  
– LPSDRAM: V  
= 1.7-1.95 V or 2.5-3.6 V  
DDF  
VFBGA152 14 x 14 x 0.9 mm  
TFBGA152 14×14 × 1.1 mm  
TFBGA152 14 × 14 × 1.2 mm  
TFBGA128 12 x 12 x 1.1 mm  
= V  
= 1.7-1.95 V  
DDQD  
DDD  
n
n
Electronic signature  
®
ECOPACK packages  
Single or double data rate LPSDRAM  
Flash memory  
n
n
n
n
n
n
n
Interface: x16/32 bus width  
n
n
n
n
Nand interface  
– x8 or x16 bus width  
Deep power-down mode  
– Multiplexed address/data  
Page size  
1.8 V LVCMOS interface  
Quad internal banks controlled by BA0, BA1  
Wrap sequence: sequential/interleaved  
Automatic and controlled precharge  
Auto refresh and self refresh  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
Block size  
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes  
– x16 device: (64K + 2K spare) words  
– 8192 or 4096 (for 128 Mbits) refresh  
cycles/64 ms  
Page read/program  
– Programmable partial array self refresh  
– Auto temperature compensated self refresh  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 25/30 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
Table 1.  
Device summary  
NANDxxxxNx  
n
n
n
n
n
Copy back program mode  
Fast block erase: 1.5/2 ms (typ)  
Chip Enable ‘don’t care’  
Status register  
NANDA0R3N0  
NANDA9R4Nx  
NANDBAR3Nx  
NANDB9R3N0  
NANDA8R3N0  
NANDA9R3Nx  
NANDA9WxN1 NANDB0R3N0  
NANDBAR4Nx  
NANDB9R4Nx  
NANDB1R3N0  
NANDC9R4N0  
Data integrity  
NANDBAW4N1 NANDCAW4N1 NANDCBR4N3  
NANDC3R4N5 NANDD3R4N5 NANDDBR3N5  
– 100 000 program/erase cycles  
– 10 years data retention  
October 2008  
Rev 12  
1/52  
www.numonyx.com  
1
1234567...52

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与NANDA9R4N4CZBA5E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NANDA9R4N4CZBA5F NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149,
NANDA9R4N4DZBA5E NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149
NANDA9R4N4DZBA5F NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149
NANDA9R4N6AZBA5F NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NANDA9R4N6BZBA5E NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149
NANDA9R4N6BZBA5F NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
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