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NAND64GAH0PZA5E

更新时间： 2024-09-24 20:00:27

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	697K
描述
Flash, 8GX8, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-169

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NAND64GAH0PZA5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	169
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
JESD-30 代码：	R-PBGA-B169	JESD-609代码：	e1
长度：	16 mm	内存密度：	68719476736 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	169
字数：	8589934592 words	字数代码：	8000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	8GX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

NAND64GAH0PZA5E 数据手册

NAND16GAH0P

NAND32GAH0P NAND64GAH0P

2-Gbyte, 4-Gbyte, 8-Gbyte, 1.8 V/3.3 V supply,

NAND flash memories with MultiMediaCard™ interface

Preliminary Data

Features

■ Packaged NAND flash memory with

MultiMediaCard interface

■ 2, 4 and 8 Gbytes of formatted data storage

LFBGA169

■ eMMC/MultiMediaCard system specification,

compliant with V4.3

■ Full backward compatibility with previous

MultiMediaCard system specification

■ Bus mode

LFBGA169 12 x 16 x 1.4 mm (ZA)

– High-speed MultiMediaCard protocol

– Three different data bus widths:1 bit, 4 bits,

8 bits

■ Error free memory access

– Data transfer rate: up to 52 Mbyte/s

– Internal error correction code

■ Operating voltage range:

– Internal enhanced data management

algorithm (wear levelling, bad block

management, garbage collection)

– V

=1.8 V/3.3 V

CCQ

– V = 3.3 V

■ Multiple block read (x8 at 52 MHz):

– Possibility for the host to make sudden

power failure safe-update operations for

data content

up to 29 Mbyte/s

■ Multiple block write (x8 at 52 MHz):

up to 19 Mbyte/s

■ Security

■ Power dissipation

– Secure erase, secure trim and secure bad

block erase commands

– Standby current: down to 100 µA (typ)

– Read current: down to 70 mA (typ)

– Write current: down to 100 mA (typ)

– Disable protection modes (lock/unlock by

password and device’s permanent write

protection)

■ Trim for data management optimization

■ Simple boot sequence method

– Password protection of data

– Built-in write protection

■ Enhanced power saving method by introducing

sleep functionality

Table 1.

Device summary

Root part number

Density

Package

Operating voltage

NAND16GAH0P

NAND32GAH0P

NAND64GAH0P

2 Gbytes

4 Gbytes

8 Gbytes

LFBGA169

V_CC= 3.3 V, V_CCQ= 1.8 V/3.3 V

September 2009

Rev 3

1/32

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NAND64GAH0PZA5F	NUMONYX	获取价格	Flash, 8GX8, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-169
NAND64GW3D4AN6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 8GX8, PDSO48, TSOP-48
NAND64GW3D4AN6F	NUMONYX	获取价格	Flash Memory
NAND64GW3FGAZN6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 800MX8, 25000ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LL
NAND88R3M0AZBB5E	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND88R3M0AZBB5F	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND88R3M0BZBB5E	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND88R3M0BZBB5F	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND88R3M0CZBB5E	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND88R3M0CZBB5F	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C

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