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NAND512R4A2DZD6E PDF预览

NAND512R4A2DZD6E

更新时间： 2024-01-29 19:10:41
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX /
页数 文件大小 规格书
53页 1330K
描述
Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55

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NAND512R4A2DZD6E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55针数：55
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.76
Is Samacsys：N最长访问时间：15000 ns
其他特性：ORGANIZED AS 264 PAGES OF 528 BYTESJESD-30 代码：R-PBGA-B55
长度：10 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：55
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

NAND512R4A2DZD6E 数据手册

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NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
512-Mbit, 1-Gbit, 528-byte/264-word page,  
1.8 V/3 V, NAND flash memories  
Preliminary Data  
Features  
●
High density NAND flash memories  
–
–
512-Mbit, 1-Gbit memory array  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
FBGA  
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed address/ data  
●
●
Supply voltage: 1.8 V, 3 V  
Page size  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) words  
VFBGA55 8 x 10 x 1 mm (ZD)  
●
●
Block size  
–
–
x8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
x16 device: (8 K + 256 spare) words  
●
●
Hardware data protection: program/erase  
locked during power transitions  
Security features  
Page read/program  
–
–
OTP area  
–
–
–
Random access:  
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)  
Serial number (unique ID) option  
Sequential access:  
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)  
●
Data integrity  
–
100,000 program/erase cycles (with  
ECC)  
Page program time: 200 µs (typ)  
●
●
●
●
●
Copy back program mode  
Fast block erase: 1.5 ms (typ)  
Status register  
–
10 years data retention  
●
●
RoHS compliant packages  
Development tools  
Electronic signature  
–
–
Error correction code models  
Chip Enable ‘don’t care’  
Bad blocks management and wear  
leveling algorithms  
–
Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
NAND512R3A2D  
NAND512R4A2D  
NAND512W3A2D  
NAND512W4A2D  
NAND01GR3A2C  
NAND01GR4A2C  
NAND01GW3A2C  
NAND01GW4A2C  
February 2009  
Rev 2  
1/53  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...53

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与NAND512R4A2DZD6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512R4A3AZB1F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA
NAND512R4A3CN6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND512R4A3CN6E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND512R4A3CZA6T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND512R4B2AN1E NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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