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NAND512R4A2CN6E

更新时间： 2024-02-19 07:33:24
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
51页 1272K
描述
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

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NAND512R4A2CN6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.08
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NAND TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND512R4A2CN6E 数据手册

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NAND512R3A2C NAND512R4A2C  
NAND512W3A2C NAND512W4A2C  
512 Mbit, 528 byte/264 word page,  
1.8 V/3 V, NAND Flash memories  
Features  
●
High density NAND Flash memories  
–
–
512 Mbit memory array  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
–
–
x 8 or x 16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
TSOP48 12 x 20 mm  
●
●
Supply voltage: 1.8 V, 3.0 V  
Page size  
FBGA  
–
–
x 8 device: (512 + 16 spare) bytes  
x 16 device: (256 + 8 spare) words  
VFBGA55 8 x 10 x 1 mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm  
●
●
Block size  
–
–
x 8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
x 16 device: (8 K + 256 spare) words  
●
●
Hardware Data Protection  
Page Read/Program  
–
Program/Erase locked during Power  
transitions  
–
–
–
Random access:  
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)  
Data integrity  
Sequential access:  
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)  
–
100,000 Program/Erase cycles (with  
ECC)  
Page Program time: 200 µs (typ)  
–
10 years Data Retention  
®
●
●
●
●
●
●
Copy Back Program mode  
Fast Block Erase: 2 ms (typ)  
Status Register  
●
●
ECOPACK packages  
Development tools  
–
–
Error Correction Code models  
Electronic signature  
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
Chip Enable ‘don’t care’  
Serial Number option  
–
Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
Reference  
Part number  
NAND512R3A2C  
NAND512R4A2C(1)  
NAND512W3A2C  
NAND512W4A2C(1)  
NAND512-A2C  
1. x16 organization only available for MCP.  
January 2008  
Rev 2  
1/51  
www.numonyx.com  
1
1234567...51

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512R4A2CN6F STMICROELECTRONICS

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 		512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CN6T STMICROELECTRONICS

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