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NAND512R4A2AZB6 PDF预览

NAND512R4A2AZB6

更新时间： 2024-11-15 22:45:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
57页 916K
描述
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

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NAND512R4A2AZB6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-55
针数：55Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.12Is Samacsys：N
最长访问时间：35 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B55
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4K端子数量：55
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA55,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：256 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NAND TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

NAND512R4A2AZB6 数据手册

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NAND128-A, NAND256-A  
NAND512-A, NAND01G-A  
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)  
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 1 Gbit memory array  
Up to 32 Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
TSOP48 12 x 20mm  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V  
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V  
USOP48 12 x 17 x 0.65mm  
PAGE SIZE  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) Words  
FBGA  
BLOCK SIZE  
–
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
x16 device: (8K + 256 spare) Words  
VFBGA55 8 x 10 x 1mm  
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1mm  
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm  
PAGE READ / PROGRAM  
–
–
–
Random access: 12µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 200µs (typ)  
■
DATA INTEGRITY  
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (Typ)  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
–
■
■
RoHS COMPLIANCE  
–
–
Lead-Free Components are Compliant  
with the RoHS Directive  
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION  
DEVELOPMENT TOOLS  
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
–
Simple interface with microcontroller  
–
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
■
■
SERIAL NUMBER OPTION  
HARDWARE DATA PROTECTION  
–
–
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
–
Program/Erase locked during Power  
transitions  
February 2005  
1/57  
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与NAND512R4A2AZB6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512R4A2AZB6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512R4A2AZB6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512R4A2AZB6T STMICROELECTRONICS

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NAND512R4A2BN1 STMICROELECTRONICS

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NAND512R4A2BN1E STMICROELECTRONICS

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NAND512R4A2BN1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
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NAND512R4A2BN6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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