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NAND512R3B2BZA6E PDF预览

NAND512R3B2BZA6E

更新时间： 2024-01-27 02:36:58
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 943K
描述
Flash, 64MX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

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NAND512R3B2BZA6E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA,
针数：63Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.31Is Samacsys：N
最长访问时间：25000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：12 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：63
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.05 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NAND TYPE
宽度：9.5 mmBase Number Matches：1

NAND512R3B2BZA6E 数据手册

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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B,  
NAND04G-B, NAND08G-B  
512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit  
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 8 Gbit memory array  
Up to 64Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
TSOP48 12 x 20mm  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: V = 1.7 to 1.95V  
DD  
3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
DD  
PAGE SIZE  
USOP48 12 x 17 x 0.65mm  
–
–
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes  
x16 device: (1024 + 32 spare) Words  
BLOCK SIZE  
FBGA  
–
–
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes  
x16 device: (64K + 2K spare) Words  
PAGE READ / PROGRAM  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm  
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm  
–
–
–
Random access: 25µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 300µs (typ)  
■
■
DATA PROTECTION  
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
–
–
Hardware and Software Block Locking  
Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
–
CACHE PROGRAM AND CACHE READ  
MODES  
DATA INTEGRITY  
–
Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
RoHS COMPLIANCE  
Lead-Free Components are Compliant  
with the RoHS Directive  
DEVELOPMENT TOOLS  
■
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (typ)  
■
■
–
–
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’  
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
–
for simple interface with microcontroller  
■
SERIAL NUMBER OPTION  
–
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
–
–
–
PC Demo board with simulation software  
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
August 2005  
1/58  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...58

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与NAND512R3B2BZA6E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NAND512R3B2BZA6T NUMONYX Flash, 64MX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND512R3B2CN1 NUMONYX 64MX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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NAND512R3B2CN1E NUMONYX 64MX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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