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NAND512R3A0BZA1F

更新时间： 2024-11-21 05:26:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
57页 916K
描述
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

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NAND512R3A0BZA1F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA,
针数：63Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.11Is Samacsys：N
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：11 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：63
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.05 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NAND TYPE
宽度：9 mmBase Number Matches：1

NAND512R3A0BZA1F 数据手册

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NAND128-A, NAND256-A  
NAND512-A, NAND01G-A  
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)  
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 1 Gbit memory array  
Up to 32 Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
TSOP48 12 x 20mm  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V  
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V  
USOP48 12 x 17 x 0.65mm  
PAGE SIZE  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) Words  
FBGA  
BLOCK SIZE  
–
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
x16 device: (8K + 256 spare) Words  
VFBGA55 8 x 10 x 1mm  
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1mm  
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm  
PAGE READ / PROGRAM  
–
–
–
Random access: 12µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 200µs (typ)  
■
DATA INTEGRITY  
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (Typ)  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
–
■
■
RoHS COMPLIANCE  
–
–
Lead-Free Components are Compliant  
with the RoHS Directive  
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION  
DEVELOPMENT TOOLS  
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
–
Simple interface with microcontroller  
–
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
■
■
SERIAL NUMBER OPTION  
HARDWARE DATA PROTECTION  
–
–
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
–
Program/Erase locked during Power  
transitions  
February 2005  
1/57  
1234567...57

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512R3A0BZA1T STMICROELECTRONICS

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