是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 20 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 内存密度: | 17179869184 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
部门数/规模: | 8K | 端子数量: | 48 |
字数: | 2147483648 words | 字数代码: | 2000000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2GX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 2K words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 256K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | NO |
类型: | MLC NAND TYPE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NAND16GW3C4AN6F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4AZL1E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4AZL1F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4AZL6E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4AZL6F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4B | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4BN1E | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4BN1F | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4BN6E | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND16GW3C4BN6F | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |