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NAND16GAH0PZA5F

更新时间： 2024-11-18 20:00:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 697K
描述
Flash, 2GX8, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-169

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NAND16GAH0PZA5F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：169
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.79
JESD-30 代码：R-PBGA-B169JESD-609代码：e1
长度：16 mm内存密度：17179869184 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：169
字数：2147483648 words字数代码：2000000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：2GX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
编程电压：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND16GAH0PZA5F 数据手册

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NAND16GAH0P  
NAND32GAH0P NAND64GAH0P  
2-Gbyte, 4-Gbyte, 8-Gbyte, 1.8 V/3.3 V supply,  
NAND flash memories with MultiMediaCard™ interface  
Preliminary Data  
Features  
■ Packaged NAND flash memory with  
MultiMediaCard interface  
■ 2, 4 and 8 Gbytes of formatted data storage  
LFBGA169  
■ eMMC/MultiMediaCard system specification,  
compliant with V4.3  
■ Full backward compatibility with previous  
MultiMediaCard system specification  
■ Bus mode  
LFBGA169 12 x 16 x 1.4 mm (ZA)  
– High-speed MultiMediaCard protocol  
– Three different data bus widths:1 bit, 4 bits,  
8 bits  
■ Error free memory access  
– Data transfer rate: up to 52 Mbyte/s  
– Internal error correction code  
■ Operating voltage range:  
– Internal enhanced data management  
algorithm (wear levelling, bad block  
management, garbage collection)  
– V  
=1.8 V/3.3 V  
CCQ  
– V = 3.3 V  
CC  
■ Multiple block read (x8 at 52 MHz):  
– Possibility for the host to make sudden  
power failure safe-update operations for  
data content  
up to 29 Mbyte/s  
■ Multiple block write (x8 at 52 MHz):  
up to 19 Mbyte/s  
■ Security  
■ Power dissipation  
– Secure erase, secure trim and secure bad  
block erase commands  
– Standby current: down to 100 µA (typ)  
– Read current: down to 70 mA (typ)  
– Write current: down to 100 mA (typ)  
– Disable protection modes (lock/unlock by  
password and device’s permanent write  
protection)  
■ Trim for data management optimization  
■ Simple boot sequence method  
– Password protection of data  
– Built-in write protection  
■ Enhanced power saving method by introducing  
sleep functionality  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Density  
Package  
Operating voltage  
NAND16GAH0P  
NAND32GAH0P  
NAND64GAH0P  
2 Gbytes  
4 Gbytes  
8 Gbytes  
LFBGA169  
VCC = 3.3 V, VCCQ = 1.8 V/3.3 V  
September 2009  
Rev 3  
1/32  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...32

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND16GW3C2AN1E NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND16GW3C2AN1F NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND16GW3C2AN6E NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND16GW3C2AN6F NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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