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NAND128W3A2AZA6F

更新时间： 2024-09-15 20:12:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 1409K
描述
Flash, 16MX8, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55

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NAND128W3A2AZA6F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：55
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.4
最长访问时间：10000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B55
JESD-609代码：e1长度：10 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：55字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：SLC NAND TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

NAND128W3A2AZA6F 数据手册

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NAND128-A NAND256-A  
128-Mbit or 256-Mbit, 528-byte/264-word page,  
3 V, NAND flash memories  
Features  
■ High density NAND flash memories  
– Up to 256-Mbit memory array  
– Up to 32-Mbit spare area  
– Cost effective solutions for mass storage  
applications  
TSOP48 12 x 20 mm  
■
NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
– Multiplexed address/ data  
– Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
■ Supply voltage  
VFBGA55 8 x 10 x 1 mm  
– V = 2.7 to 3.6 V  
DD  
■ Page size  
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) words  
■ Hardware data protection  
■ Block size  
– Program/erase locked during power  
transitions  
– x8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
– x16 device: (8 K + 256 spare) words  
■ Data integrity  
■ Page read/program  
– 100,000 program/erase cycles  
– 10 years data retention  
– Random access: 12 µs (max)  
– Sequential access: 50 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
■ RoHS compliance  
– Lead-free components are compliant with  
the RoHS directive  
■ Copy back program mode  
– Fast page copy without external buffering  
■ Development tools  
■ Fast block erase  
– Error correction code software and  
hardware models  
– Block erase time: 2 ms (typical)  
■ Status register  
– Bad blocks management and wear leveling  
algorithms  
■ Electronic signature  
– File system OS native reference software  
– Hardware simulation models  
■ Chip enable ‘don’t care’  
– Simple interface with microcontroller  
■ Serial number option  
August 2008  
Rev 15  
1/58  
www.numonyx.com  
1
1234567...58

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与NAND128W3A2AZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND128W3A2AZA6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB6 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2AZB6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W3A2BN1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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