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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LGA |
| 包装说明： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LGA-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B52 | 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 8589934592 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 4K | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 1073741824 words | 字数代码： | 1000000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1GX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VBGA |
| 封装等效代码： | LGA52(UNSPEC) | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE | 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 0.65 mm | 部门规模： | 256K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NAND08GW3C2BZL1F | NUMONYX |
获取价格 |
8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C2BZL6E | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C2BZL6F | NUMONYX |
获取价格 |
8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AN1E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AN1F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AN6E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AN6F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AZL1E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AZL1F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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| NAND08GW3C4AZL6E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
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