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NAND08GW3C2BZL1E

更新时间： 2024-10-27 03:23:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 1134K
描述
8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

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NAND08GW3C2BZL1E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LGA
包装说明：12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LGA-52针数：52
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.78
Is Samacsys：N最长访问时间：25 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B52长度：17 mm
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：4K端子数量：52
字数：1073741824 words字数代码：1000000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1GX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VBGA
封装等效代码：LGA52(UNSPEC)封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：0.65 mm部门规模：256K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND08GW3C2BZL1E 数据手册

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NAND08GW3C2B  
NAND16GW3C4B  
8 or 16 Gbit, 2112 byte page,  
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory  
Target Specification  
Features  
■ High density multilevel cell (MLC) Flash  
memory  
– Up to 16 Gbit memory array  
– Up to 512 Mbit spare area  
– Cost-effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
– x8 bus width  
– Multiplexed address/data  
■ Supply voltage: V = 2.7 to 3.6 V  
DD  
■ Page size: (2048 + 64 spare) bytes  
■ Block size: (256K + 8K spare) bytes  
LGA52 12 x 17 mm (N)  
■ Multiplane architecture  
– Array split into two independent planes  
– Program/erase operations can be  
■ Serial number option  
performed on both planes at the same time  
■ Chip enable ‘don’t care’  
■ Data protection  
■ Memory cell array:  
(2 K + 64 ) bytes x 128 pages x 4096 blocks  
– Hardware program/erase locked during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Random access: 60 µs (max)  
– Sequential access: 25 ns (min)  
– Page program operation time: 800 µs (typ)  
■ Development tools  
– Error correction code models  
– Bad block management and wear leveling  
algorithm  
■ Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)  
– HW simulation models  
■ Copy-back program  
– Fast page copy  
■ Data integrity  
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)  
■ Fast block erase  
– 10 years data retention  
– Block erase time: 2.5 ms (typ)  
®
■ ECOPACK packages available  
■ Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)  
■ Status register  
■ Electronic signature  
March 2008  
Rev 2  
1/60  
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.  
www.numonyx.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND08GW3C2BZL1F NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C2BZL6E NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C2BZL6F NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4AN1E NUMONYX

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NAND08GW3C4AN1F NUMONYX

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NAND08GW3C4AN6E NUMONYX

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