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NAND08GW3B2BN1E PDF预览

NAND08GW3B2BN1E

更新时间： 2024-10-27 03:11:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
58页 503K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

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NAND08GW3B2BN1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1,
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最长访问时间：25 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：1073741824 words
字数代码：1000000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1GX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NAND TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND08GW3B2BN1E 数据手册

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NAND04GW3B2B  
NAND08GW3B2A  
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page  
3V, NAND Flash Memories  
PRELIMINARY DATA  
Feature summary  
■ High density NAND Flash Memory  
– up to 8 Gbit memory array  
– Up to 256 Mbit spare area  
– Cost effective solution for mass storage  
applications  
■ NAND Interface  
– x8 bus width  
– Multiplexed Address/ Data  
TSOP48 12 x 20mm  
■ Supply voltage  
– 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V  
■ Page size  
– (2048 + 64 spare) Bytes  
■ Block size  
■ Data protection  
– (128K + 4K spare) Bytes  
– Hardware and Software Block Locking  
■ Page Read/Program  
– Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
– Random access: 25µs (max)  
– Sequential access: 30ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ Data integrity  
– 100,000 Program/Erase cycles  
■ Copy Back Program mode  
– 10 years Data Retention  
– Fast page copy without external buffering  
■ ECOPACK® package  
■ Development tools  
■ Cache Program and Cache Read modes  
– Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
– Error Correction Code software and  
hardware models  
■ Fast Block Erase  
– Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
– Block erase time: 2ms (typ)  
■ Status Register  
– File System OS Native reference software  
– Hardware simulation models  
■ Electronic Signature  
■ Chip Enable ‘don’t care’  
– for simple interface with microcontroller  
■ Serial Number option  
May 2006  
Rev 2  
1/58  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
1
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与NAND08GW3B2BN1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND08GW3B2BN1F STMICROELECTRONICS

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND08GW3B2BN1F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND08GW3B2BN1T STMICROELECTRONICS

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 		1GX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND08GW3B2BN6E NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
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