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NAND08GR4B2CZL6E

更新时间： 2024-10-27 04:57:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存
页数 文件大小 规格书
69页 1707K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

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NAND08GR4B2CZL6E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LGA
包装说明：12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52针数：52
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.7
最长访问时间：25000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B52
长度：17 mm内存密度：4294967296 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：52
字数：536870912 words字数代码：512000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND08GR4B2CZL6E 数据手册

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC  
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page  
multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories  
Preliminary Data  
Features  
■ High density NAND Flash Memory  
– Up to 8 Gbit memory array  
– Cost-effective solution for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
– x8 or 16x bus width  
– Multiplexed address/data  
LGA  
■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device  
■ Page size  
LGA52 12 x 17 mm (ZL)  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
r
■ Data protection:  
■ Block size  
– Hardware program/erase disabled during  
power transitions  
– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64K + 2 K spare) words  
– Non-volatile protection option  
■ ONFI 1.0 compliant command set  
■ Data integrity  
■ Multiplane architecture  
– Array split into two independent planes  
– Program/erase operations can be  
– 100 000 program/erase cycles (with ECC  
(error correction code))  
performed on both planes at the same time  
■ Page read/program  
– 10 years data retention  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 25 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device Summary  
Part number  
– Multiplane page program time (2 pages):  
200 µs (typ)  
Reference  
NAND04GR3B2D  
NAND04GW3B2D  
NAND04GR4B2D(1)  
NAND04GW4B2D(1)  
NAND08GR3B2C,  
NAND08GW3B2C  
NAND08GR4B2C(1)  
NAND08GW4B2C(1)  
NAND08GR3B4C  
NAND08GW3B4C  
■ Copy back program with automatic error  
detection code (EDC)  
NAND04G-B2D  
NAND08G-BxC  
■ Cache read mode  
■ Fast block erase  
– Block erase time: 1.5 ms (typ)  
– Multiblock erase time (2 blocks):  
1.5 ms (typ)  
■ Status Register  
■ Electronic signature  
■ Chip Enable ‘don’t care’  
■ Serial number option  
1. x16 organization only available for MCP products.  
December 2007  
Rev 3  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...69

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与NAND08GR4B2CZL6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND08GR4B2CZL6F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GR4B2DN1E NUMONYX

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NAND08GR4B2DZL1E NUMONYX

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NAND08GR4B2DZL6E NUMONYX

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NAND08GR4B2DZL6F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GR4B3AN1F STMICROELECTRONICS

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 		512MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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