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NAND08GAH0AZA5F

更新时间： 2024-10-26 03:39:03

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储
页数	文件大小	规格书
116页	2249K
描述
1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flash memories with MultiMediaCard⑩ interface

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NAND08GAH0AZA5F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA169,14X28,20	针数：	169
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	ALSO OPERATES WITH 3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)：	52 MHz	JESD-30 代码：	R-PBGA-B169
长度：	16 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH CARD	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	169
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	128MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA169,14X28,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/3,3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	子类别：	Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

NAND08GAH0AZA5F 数据手册

NAND08GAH0A

NAND16GAH0D

1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply,

NAND Flash memories with MultiMediaCard™ interface

Preliminary Data

Features

■ Packaged NAND Flash memory with

MultiMediaCard interface

■ 1, 2 Gbytes of formatted data storage

FBGA

■ eMMC/MultiMediaCard system specification,

compliant with V4.1

■ Full backward compatibilty with previous

MultiMediaCard system specification

■ Bus mode

LFBGA169 12 x 16 x 1.4 mm (ZA)

– High-speed MultiMediaCard protocol

– SPI protocol

– Three different data bus widths:1 bit, 4 bits,

8 bits

– Data transfer rate: up to 52 Mbyte/s

■ Error free memory access

■ Operating voltage range:

– Internal enhanced data management

algorithm (wear levelling, bad block

management, garbage collection)

– V

=1.8 V/3 V

CCQ

– V = 3 V

– Internal error correction code

■ Supported clock frequencies: 0 to 52 MHz

■ Data integrity

■ Multiple Block Read (x 8 at 52 MHz):

– Data reliability: less than 1 non-recoverable

up to 3.5 Mbyte/s

error per 10 bits read

■ Multiple Block Write (x 8 at 52 MHz):

– Endurance: more that 2,000,000

Program/Erase cycles

up to 8.5 Mbyte/s

■ Power dissipation

■ Security

– Standby current: down to 200 µA

– Read current: down to 30 mA

– Write current: down to 30 mA

– Password protection of data

– Built-in write protection (permanent or

temporary)

December 2007

Rev 2

1/116

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...116

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与NAND08GAH0AZA5F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NAND08GAH0BZA5E	NUMONYX	获取价格	Flash, 1GX8, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-169
NAND08GAH0BZA5F	NUMONYX	获取价格	Flash, 1GX8, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-169
NAND08GAH0DZA5E	NUMONYX	获取价格	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flas
NAND08GAH0DZA5F	NUMONYX	获取价格	1 Gbyte, 2 Gbyte, 1.8 V/3 V supply, NAND Flas
NAND08G-BXC	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GR3B2AN1	STMICROELECTRONICS	获取价格	1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND08GR3B2AN1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND08GR3B2AN1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	Flash, 1GX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND08GR3B2AN6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND08GR3B2AN6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	Flash, 1GX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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